TOC-UV利用分子结合破坏力大的185nm的UV来分解处理水中的TOC成分。生成反应性较大的Hydroxyl radical，切断TOC成分的结合环，分解成H20和C02。生成的CO2可以被后端的AP(Anion polisher)去除，这里使用的离子交换树脂应选择TOC eakage非常低的(TOC<lppb)。TOC-UV产生的Hydroxyl radical跟H20起反应，产生约30ppb以下的双氧水(过氧化氢 H202)。生成的双氧水会劣化后端的AP，成为性能下降的原因。在工程上发生问题，并作为产生晶片缺陷的原因。应予以解决。除双氧水树脂TRILITE UPH01 可以去TOC UV处理生成的双氧水(H202)及阴离子延长Polishing System的稳定性和寿命。TRILITE UPHO1 为三星电子等现场超纯设备供货，证明了其性能。